[S8] S8.Materials Science and high temperature processing of widegap materials IV

[S8.5] Suppression of SiC macro-defects in solution growth under the condition saturated with SiC

*Takeshi Mitani¹, Sakiko Kawanishi², Didier CHAUSSENDE³, Takeshi Yoshikawa⁴ (1. AIST, 2. Tohoku U., 3. CNRS-SIMaP, 4. U. Tokyo)

Keywords:SiC、溶液成長、SiC飽和、SiCインクルージョン

溶液成長成ではSiC微結晶が成長層にインクルージョンとして取り込まれてしまう問題がある。本研究ではSiCるつぼから原料供給するSiC飽和条件での溶液成長によってSiCインクルージョンの抑制に成功したので報告する。