[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[118] Effect of W doping on physical properties of VO₂ films deposited by sputtering method

*Hiroaki ISHIHARAJIMA^1,2, Masaaki BABA¹, Shogo HATAYAMA², Yuta SAITO², Noriyuki UCHIDA², Masatoshi TAKEDA¹ (1. Nagaoka Univ. of Technology, 2. AIST)

Keywords:金属ー絶縁体相転移、薄膜、同時スパッタ、機能性材料、VO₂

本研究は,VO₂薄膜に対するWドープの影響の調査を目的とする.XRD測定と電気抵抗の温度依存性の評価によって,スパッタ成膜したVO₂は室温で単斜晶相を示し,相転移による電気抵抗変化も確認された．