[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[117] Crystal orientation dependence of metal-insulator transition for VO₂ microwires fabricated on TiO₂(110) substrates with step and terrace structures

*Kyungmin KIM¹, Shingo GENCHI², Shiro YAMAZAKI³, Hidekazu TANAKA², Masayuki ABE¹ (1. Engineering Science, Osaka Univ., 2. SANKEN, Osaka Univ., 3. Tokyo Inst.)

Keywords:VO₂、TiO₂、metal−insulator transition、thin film growth

VO₂薄膜は室温近傍で数桁の抵抗変化を伴う金属-絶縁体相転移（MIT）を示す。本研究では原子レベルで表面構造が制御されたTiO₂(110)ステップ基板上にVO₂薄膜を成長させ、MIT特性の面内異方性を調べた。