[G] 電気・電子・光関連材料

[122] Cr₂Ge₂Te₆薄膜のピエゾレジスティブ特性

*王 吟麗¹、双 逸²、中嶋 真優¹、安藤 大輔¹、成田 史生³、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大材料科学高等研究所、3. 東北大環境)

キーワード：piezoresistive、phase-change film、semiconductor

Piezoresistive performance of Cr₂Ge₂Te₆ thin film was evaluated under different local structure phases, including amorphous phase and stable phase.