[G] Semiconductors/ Terahertz Light

[219] Feasibility study of phase change random access memory with Cr-Mn-Te ternary polymorphic film

*Mihyeon Kim¹, Yi Shuang², Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1. Sch. of Eng. ,Tohoku Univ., 2. AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:polymorphic change、thin film、phase change random access memory、Cr-Mn-Te

Crを添加したCr-Mn-Te三元系薄膜は、二元系MnTe薄膜とは異なる多形変化挙動を示すことがわかってきている。本研究では、Cr-Mn-Teを用いた不揮発性メモリ特性を評価する。