日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

講演情報

ポスターセッション

2.物性 » 物性

[P] P75~P79

2024年9月18日(水) 12:00 〜 13:30 ポスターセッション会場2 (サイエンスコモンズ・スタジオA)

12:00 〜 13:30

[P79] Agを触媒としてMIC法で作製したGe薄膜の結晶化と特性評価

*長 洸太1、浅野 友太1、弓野 健太郎1,2 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター)

キーワード:半導体、低温結晶、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化法

薄膜トランジスタ(TFT)のチャンネル層にGeが注目され、低温結晶化によりフレキシブルデバイスへの応用が期待される。逆積層のMIC法を用い、AgとGeの膜厚の影響を調査した。

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