日本金属学会2024年秋期(第175回)講演大会

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公募シンポジウム講演

[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

ワイドギャップ結晶は、省エネ・環境負荷低減に寄与するパワーデバイスや短波長光デバイスへの応用・開発が進められている。特にSiCパワーデバイスは本格的量産が進み、GaNもLEDのみならずパワーデバイス用基板の生産が進められつつある。さらなる発展には各材料の高品質結晶の育成技術の確立や、高効率ウェハー化やデバイスプロセスの開発が望まれている。講演大会では、これまで５回の公募シンポジウムを開催し、で研究・開発の最新動向を議論してきた。
　本シンポジウムでも引き続き、SiCや窒化物材料、酸化物材料等ワイドギャップ結晶の育成技術や再加工技術、欠陥低減技術について、金属材料学や冶金学や半導体工学、またそれらの融合分野の最新の研究を議論する。

Fri. Sep 20, 2024 1:00 PM - 4:45 PM Room J (A204 2nd floor Building A Center for Education in Liberal Arts and Sciences)

Chair:Masayoshi Adachi

1:00 PM - 1:40 PM

[S7.1] [Keynote Lecture] Development of Wafer Quality Inspection Technique and International Standardization for SiC Power Semiconductor

*Junji Senzaki1 (1. AIST)

Keywords:化合物パワー半導体、SiC、ウェハ品質検査技術、国際標準化

高品質なSiCウェハ製造とその安定供給体制の構築に向けたSiCパワー半導体ウェハ品質検査技術開発とその国際標準化に関する産総研での取り組みを紹介する.

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