[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

[S7.2] 2-inch SiC solution growth using SiC liner crucible fabricated by reactive infiltration

*Sakiko KAWANISHI¹, Takeshi MITANI², Sora Ashimoto¹, Didier Chaussende³, Takeshi Yoshikawa⁴ (1. Kyoto Univ., 2. AIST, 3. CNRS-SIMaP, 4. Osaka Univ.)

Keywords:シリコンカーバイド、溶液成長、反応性含浸、SiC

反応性含浸SiCライナーるつぼを用いた2インチSiCの溶液成長を実施し、ボイドフリーのSiCの育成に成功した。比較的安価なSiC原料としての有効性を見出した。