[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

[S7.2] 反応性含浸SiCライナーるつぼを用いた2-inch SiC溶液成長

*川西 咲子¹、三谷 武志²、網師本 宙¹、Chaussende Didier³、吉川 健⁴ (1. 京大エネ科、2. 産総研、3. CNRS-SIMaP、4. 阪大工)

キーワード：シリコンカーバイド、溶液成長、反応性含浸、SiC

反応性含浸SiCライナーるつぼを用いた2インチSiCの溶液成長を実施し、ボイドフリーのSiCの育成に成功した。比較的安価なSiC原料としての有効性を見出した。