2:20 PM - 2:40 PM
[S7.4] In-situ observation of SiC solution growth using Gibbs-Thomson solvent
Keywords:SiC、溶液成長、Gibbs-Thomson効果、干渉縞観察、その場観察
Gibbs-Thomson効果を用いた高速液相エピタキシーで、1873KでSiCエピタキシャル層の成長を観察した。干渉縞観察により成長速度をリアルタイムで捉え、1~30minで0.8~1.0mm/minの一定速度を確認した。
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