[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

[S7.3] Screening trial of step-bunching behavior on 4H-SiC (000-1) in various solvents by interface reconstruction

*Tomoya Noji¹, Masashi Nakamoto², Masanori Suzuki², Takeshi Yoshikawa², Sakiko Kawanishi³, Takeshi Mitani⁴, Didier Chaussende⁵ (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ., 3. Kyoto Univ., 4. AIST, 5. CNRS-SIMaP)

Keywords:SiC結晶成長、SiC溶液成長、ステップバンチング、界面再構成法、機械学習

界面再構成実験を用いて、Si-Cr合金への添加成分の影響を調査し、バンチング抑制に必要な添加量に違いがあることを確認した。加えて、機械学習によって炭素親和性がステップ間隔への影響が大きいことを確認した。