[S7] S7.Materials Science and high temperature processing of widegap materials VI

[S7.5] Trial of Growth of SiC on a Single Crystalline Substrate by Laser Irradiation

*Yasunari KOEDA¹, Masanori SUZUKI², Masashi NAKAMOTO², Takeshi YOSHIKAWA² (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ.)

Keywords:SiC、結晶成長、単結晶、レーザー、ホモ成長

微粒子分散溶媒と種結晶の接触界面にレーザー光を集光照射し、局所的な加熱による基板上ホモ成長を試みることで、付加製造などの微細部成長の微細部成長の可能性を調査した。