[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

[S7.5] レーザー照射によるSiCの単結晶基板上微細部ホモ成長の試み

*小枝 泰也¹、鈴木 賢紀²、中本 将嗣²、吉川 健² (1. 阪大(院生)、2. 阪大)

キーワード：SiC、結晶成長、単結晶、レーザー、ホモ成長

微粒子分散溶媒と種結晶の接触界面にレーザー光を集光照射し、局所的な加熱による基板上ホモ成長を試みることで、付加製造などの微細部成長の微細部成長の可能性を調査した。