^○（DC）Duong Lam^1,3，Frederic Bonell^1,3，Shinji Miwa^1,3，Yoichi Shiota^1,3，Kay Yakushiji²，Hitoshi Kubota²，Takayuki Nozaki²，Akio Fukushima²，Shinji Yuasa²，Yoshishige Suzuki^1,2,3 (阪大院基礎工¹，産総研ナノスピントロニクス研究センター²，CREST³)

11:30 〜 11:45

▲ [19a-C15-10] Enhanced perpendicular magnetic anisotropy in Co2FeAl full-Heusler alloy magnetic tunnel junctions with a Ru buffer

Zhenchao Wen，^○介川裕章，古林孝夫，三谷誠司，猪俣浩一郎 (NIMS)

11:45 〜 12:00

▼ [19a-C15-11] フルホイスラー合金Co₂FeSiにおけるMgO界面誘起垂直磁気異方性の観測

^○高村陽太，鈴木隆寛，藤野頼信，中川茂樹 (東工大電物)

一般セッション(口頭講演)

[19p-C15-1~8] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2013年9月19日(木) 13:00 〜 15:00 C15 (TC3 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

▲ [19p-C15-1] Large Random Telegraph Noise in an MgO barrier MTJ

^○福島章雄¹，関貴之²，今村裕志¹，薬師寺啓¹，久保田均¹，湯浅新治¹ (産総研ナノスピン¹，筑波大物工²)

13:15 〜 13:30

[19p-C15-2] 異なるキャップ層を有する強磁性トンネル接合の伝導特性変動

^○中野貴文¹，大兼幹彦¹，永沼博¹，矢野敏史²，青建一²，安藤康夫¹ (東北大院工¹，デンソー²)

13:30 〜 13:45

▲ [19p-C15-3] プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo₂Fe_0.4Mn_0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製

^○森廣智之，大兼幹彦，永沼博，安藤康夫 (東北大院工)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-C15-4] Giant tunnel magnetoresistance in a fully epitaxial Fe/Al₂O₃/Fe tunnel junction

^○介川裕章，猪俣浩一郎，三谷誠司 (物材機構)

14:00 〜 14:15

▲ [19p-C15-5] Crystalline AlOx ultrathin layers grown on permalloy (111)-surfaces for magnetic tunnel junctions

^○三谷誠司^1,2，具正祐^1,2，介川裕章¹ (物材機構¹，筑波大²)

14:15 〜 14:30

△ [19p-C15-6] TiOx/CoFeB/Taスタックの磁気異方性の電界による不揮発な制御の実証

^○（M2C）古場治朗，喜多浩之 (東大院工)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C15-7] 強磁性共鳴法により検出したTa-CoFeB-MgO接合における磁気特性の電界効果の膜厚依存性

^○岡田篤¹，金井駿¹，山ノ内路彦^1,2，池田正二^1,2，松倉文礼^1,2,3，大野英男^1,2,3 (東北大通研¹，東北大CSIS²，東北大WPI-AIMR³)

14:45 〜 15:00

▲ [19p-C15-8] Voltage-induced magnetic anisotropy change in MgO/FeB/MgO junction

^○野崎隆行^1,2，薬師寺啓^1,2，田丸慎吾¹，松本利映^1,2，甲野藤真^1,2，久保田均^1,2，福島章雄^1,2，湯浅新治^1,2 (産総研¹，CREST-JST²)

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[16p-P5-1~3] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[16p-P5-1] 極低磁場核磁気共鳴に向けた強磁性トンネル接合による微弱磁場検出

▲ [16p-P5-2] Transport Phenomena in MgO-based Double Barrier Magnetic Tunnel Junctions with Fe Nanoparticles

▲ [16p-P5-3] Tunnel magnetoresistance in MgO-based magnetic tunnel junctions with rare-earth materials

[19a-C15-1~11] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

▲ [19a-C15-1] アモルファスCoFeSiBをフリー層に用いた高感度強磁性トンネル磁気抵抗センサの作製

▲ [19a-C15-2] 漏れ磁界を抑制した垂直磁性体における磁化状態読み出し－強磁性共鳴の利用と3次元磁気記録への応用－

▲ [19a-C15-3] CoFeBと人工フェリ磁性体との２つのフリー層からなるスピントルク発振素子のパルス磁場応答

[19a-C15-4] 誘電体中間層を有するGdFeCo二層膜の超高速減磁過程

[19a-C15-5] 磁気記録ヘッドのひずみイメージング

△ [19a-C15-6] 垂直磁気異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合素子の特性の温度依存性

▲ [19a-C15-7] Enhanced Magnetoresistance in Mn_xGa_100-x/MgO/CoFeB perpendicular magnetic tunnel junctions by FM interlayer

△ [19a-C15-8] Ta挿入層を有するCo/Pt多層膜ベース磁気トンネル接合

[19a-C15-9] MgO overlayer thickness dependence of perpendicular magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO/Ta multilayers

▲ [19a-C15-10] Enhanced perpendicular magnetic anisotropy in Co2FeAl full-Heusler alloy magnetic tunnel junctions with a Ru buffer

▼ [19a-C15-11] フルホイスラー合金Co₂FeSiにおけるMgO界面誘起垂直磁気異方性の観測

[19p-C15-1~8] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

▲ [19p-C15-1] Large Random Telegraph Noise in an MgO barrier MTJ

[19p-C15-2] 異なるキャップ層を有する強磁性トンネル接合の伝導特性変動

▲ [19p-C15-3] プラズマ酸化によるMgO障壁層を用いたCo₂Fe_0.4Mn_0.6Si電極強磁性トンネル接合の作製

▲ [19p-C15-4] Giant tunnel magnetoresistance in a fully epitaxial Fe/Al₂O₃/Fe tunnel junction

▲ [19p-C15-5] Crystalline AlOx ultrathin layers grown on permalloy (111)-surfaces for magnetic tunnel junctions

△ [19p-C15-6] TiOx/CoFeB/Taスタックの磁気異方性の電界による不揮発な制御の実証

△ [19p-C15-7] 強磁性共鳴法により検出したTa-CoFeB-MgO接合における磁気特性の電界効果の膜厚依存性

▲ [19p-C15-8] Voltage-induced magnetic anisotropy change in MgO/FeB/MgO junction

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△ [19p-C15-7] 強磁性共鳴法により検出したTa-CoFeB-MgO接合における磁気特性の電界効果の膜厚依存性

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