セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

一般セッション(ポスター講演)

[18a-P2-1~5] 6.5 表面物理・真空

2013年9月18日(水) 09:30 〜 11:30 P2 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[18a-P2-1] 電磁場の遅延効果を考慮した局在プラズモンの理論

^○市川昌和 (東大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-P2-2] Tiシード層による自己組織化Ag薄膜の凝集過程

^○神子公男¹，末永亮²，野瀬健二¹，具正祐^3,4，弓野健太郎²，光田好孝¹，河在根⁵ (東大生研¹，芝浦工大²，筑波大³，物材機構⁴，韓国光云大⁵)

09:30 〜 11:30

[18a-P2-3] 主鎖にナフタレン環を有するポリイミド薄膜の蒸着重合法による形成

^○菊地亮介，田中邦明，臼井博明 (農工大工)

09:30 〜 11:30

[18a-P2-4] Si(001)表面上の鉄シリサイドナノ構造のバンド分散測定

^○田中博也¹，中島淳貴¹，成重卓真¹，大野真也¹，百瀬辰哉¹，豊島宏明¹，安部壮佑¹，田中正俊¹，矢治光一郎²，原沢あゆみ²，柿崎明人² (横浜国大院工¹，東大物性研²)

09:30 〜 11:30

[18a-P2-5] 表面光吸収法によるCs/GaAs系NEA表面形成過程のその場観察

^○（M1）鈴木一成，早瀬和哉，稲垣雄大，千葉亮祐，緑川早紀，目黒多加志 (東京理科大)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D2-1~15] 6.5 表面物理・真空

2013年9月18日(水) 13:00 〜 17:45 D2 (MK 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:45

[18p-D2-1] 「薄膜・表面分科内招待講演」（45分）固液界面構造のその場実時間追跡

^○魚崎浩平 (物材機構)

13:45 〜 14:00

[18p-D2-2] 湿度制御雰囲気下での吸着水/GeO₂/Ge構造のXPS観測

^○有馬健太¹，河合佳枝¹，箕浦佑也¹，川合健太郎¹，細井卓治¹，渡部平司¹，森田瑞穂¹，Zhi Liu² (阪大院工¹，バークレー国立研²)

14:00 〜 14:15

[18p-D2-3] アルミ・酸素同時供給により成長させたエピアルミナ膜とCo単結晶基板との間のバンドアライメント

^○吉武道子¹，Slavomir Nemsak¹，Tomas Skala²，Kevin Prince² (物材機構¹，トリエステ²)

14:15 〜 14:30

[18p-D2-4] 酸素分子のGe(100)-2x1 表面における室温での初期吸着確率の並進エネルギー依存性

^○吉越章隆¹，岡田隆太^1,2，寺岡有殿^1,3，岩井優太郎^1,3，山田洋一²，佐々木正洋² (日本原子力研究開発機構¹，筑波大院数物²，兵県大院物質理学³)

14:30 〜 14:45

[18p-D2-5] Si(113)表面初期酸化過程における電子状態の解析

^○大野真也¹，安部壮祐¹，三浦脩¹，成重卓真¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，安田哲二³，田中正俊¹ (横国大工¹，原子力機構²，産総研³)

14:45 〜 15:00

[18p-D2-6] 角度分解赤外吸収分光法によるH-Si(111)表面上におけるF₄-TCNQの吸着状態の研究

^○古橋匡幸¹，吉信淳² (阪大産研¹，東大物性研²)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[18p-D2-7] Temperature dependence of molecular alignment at organic semiconductor/oxide interfaces

^oAndrew Pratt¹，Yu Jeong Bae²，Xia Sun³，Mitsunori Kurahashi¹，Nyun Jong Lee²，Tae Hee Kim²，Yasushi Yamauchi¹ (National Institute for Materials Science¹，Ewha Womans University, Seoul²，University of Science and Technology of China³)

15:30 〜 15:45

△ [18p-D2-8] 走査トンネル顕微鏡と中エネルギーイオン散乱法によるチタン酸リチウム Li4Ti5O12(111)表面の原子レベル構造解明

^○橘田晃宜¹，松田太志²，前田泰¹，秋田知樹¹，田中真悟¹，城戸義明²，香山正憲¹ (産総研・ユビキタス¹，立命館大・理工²)

15:45 〜 16:00

[18p-D2-9] 第一原理計算によるチタン酸リチウム Li₄Ti₅O₁₂(111)表面の原子構造と表面ストイキオメトリ

^○田中真悟¹，橘田晃宣¹，田村友幸²，前田泰¹，秋田知樹¹，香山正憲¹ (産総研ユビキタス¹，名工大²)

16:00 〜 16:15

[18p-D2-10] 走査プローブ顕微鏡によるコバルトポルフィリン電極触媒の構造評価

^○前田泰，山崎眞一，田中真悟，香山正憲 (産総研)

16:15 〜 16:30

[18p-D2-11] RHEEDによる高温でのSi(001)表面構造解析

^○堀尾吉已¹，高桑雄二²，小川修一²，田代将人¹ (大同大工¹，東北大多元研²)

休憩　（16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[18p-D2-12] Si(001)表面における高アスペクト比ホールの高温アニールによる空洞形成過程

^○須藤孝一¹，蛭田玲子²，栗林均² (阪大産研¹，富士電機²)

17:00 〜 17:15

[18p-D2-13] CAICISSによるSi(111)上バリウムシリサイドの表面構造の解析

^○岡坂翔太，大橋朋紘，丹波大樹，田畑博史，久保理，片山光浩 (阪大院工)

17:15 〜 17:30

[18p-D2-14] STM/STSによるSi(001)上のナノ鉄シリサイドの物性評価

^○（M2）成重卓真¹，鷺坂恵介²，藤田大介²，大野真也¹，田中正俊¹ (横浜国大院工¹，物質・材料研究機構²)

17:30 〜 17:45

[18p-D2-15] 金ナノ粒子触媒のガス雰囲気におけるTEM観察とカソードルミネッセンス分光

^○田中崇之^1,2，山本直紀^1,2，高柳邦夫^1,2 (東工大院理工¹，JST-CREST²)