シンポジウム

[16p-C11-1~12] 界面ナノ電子化学：産業界における最先端半導体デバイスのナノレベル界面制御の課題

2013年9月16日(月) 13:00 〜 17:15 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:30

[16p-C11-1] 新材料を用いたデバイス構造における洗浄プロセス設計の課題（30分）

^○岩元勇人¹，齋藤卓²，萩本賢哉¹ (ソニー¹，ソニーセミコンダクタ²)

13:30 〜 14:00

[16p-C11-2] 先端半導体メモリにおける洗浄技術の課題（30分）

^○小川義宏 (東芝セミコンダクター＆ストレージ社　先端メモリ開発センター)

14:00 〜 14:15

[16p-C11-3] ナノスケールのスリット内への液体浸入に関する分子動力学解析（第2報: 残留ガスの影響）

^○山口康隆¹，中岡聡¹，川上雅之²，矢野大作²，山中弘次² (阪大院工¹，オルガノ²)

14:15 〜 14:30

[16p-C11-4] 微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察(2)

^○奥山敦¹，齋藤卓¹，大井上昂志²，萩本賢哉²，岩元勇人² (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²)

14:30 〜 14:45

[16p-C11-5] 超臨界二酸化炭素中の微粒子挙動

^○菅原広¹，川﨑慎一朗²，鈴木明² (オルガノ¹，産総研²)

14:45 〜 15:00

[16p-C11-6] CMP後洗浄用PVAブラシの摩擦特性

^○真田俊之¹，原義高¹，福永明²，檜山浩國² (静大工¹，荏原製作所²)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:45

[16p-C11-7] 不純物対応洗浄プロセスの課題（30分）

^○明星裕也，成田賢治，堂下秀樹 (パナソニック)

15:45 〜 16:15

[16p-C11-8] 半導体デバイスにおけるダメージレス洗浄の課題（30分）

^○田中盛光 (ルネサスエレ)

16:15 〜 16:30

[16p-C11-9] 水のチャージアップWG第2期活動報告

^○矢野大作 (オルガノ)

16:30 〜 16:45

[16p-C11-10] 吸光分光法を用いたCMPスラリー中過酸化水素濃度のインライン測定

^○高木想，斧田拓也，森良弘 (堀場製作所)

16:45 〜 17:00

[16p-C11-11] 環境負荷削減対応用、枚葉で常温洗浄真空乾燥の研究開発

^○山本義治 (ヤマトテクノス)

17:00 〜 17:15

[16p-C11-12] 枚葉洗浄Systemの課題

^○戸島孝之 (東京エレクトロン九州)

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