一般セッション(ポスター講演)

[19p-P8-1~10] 14.1 探索的材料物性

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[19p-P8-1] イオンビームスパッタ蒸着法によるβ-FeSi2薄膜作製への蒸着速度の影響

^○濱本悟¹，山口憲司²，北條喜一² (茨大院理¹，原子力機構²)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-2] Si(111)基板上BaSi₂薄膜の接合・結晶粒の電気特性

^○（P）渡辺健太郎^1,2，馬場正和¹，野久尾毅³，関口隆史²，末益崇¹ (筑波大¹，物材機構²，日本電子³)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-3] Si(001)基板上に形成したトンネル接合上BaSi₂膜のエピタキシャル成長と分光感度特性の評価

^○小池信太郎¹，馬場正和¹，杜偉傑¹，高部涼太¹，章寧¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院電子･物理¹，CREST JST²)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-4] AZO透明導電膜とn⁺-BaSi₂膜の接触抵抗評価

^○島田直弥¹，馬場正和¹，小池信太郎¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-5] 溶融結晶Mg₂SiへのSb-Au共添加効果

^○大竹秀明¹，蓮沼慎¹，神戸薫¹，鵜殿治彦¹，磯田幸宏²，打越雅仁³ (茨城大工¹，物材機構²，東北大多元研³)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-6] Mg₂Si pn接合ダイオードの分光特性改善

^○大徳健太¹，竹崎誠朗¹，打越雅仁²，鵜殿治彦¹ (茨城大工¹，東北大多元研²)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-7] HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ

^○櫻井拓也¹，松本宏哉¹，山田晋也²，浜屋宏平²，宮尾正信²，澤野憲太郎¹，野平博司¹ (東京都市大工¹，九大²)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-8] Co₂(Mn_1-xFe_x)Si/Ge エピタキシャル薄膜のイオンビーム解析

^○川久保雄基¹，野口雄也¹，鳴海一雅²，境誠司²，浜屋宏平³，宮尾正信³，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構 ASRC²，九大院システム情報³)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-9] K₈Ga₈Si₃₈クラスレートの光学特性評価

^○飯岡優¹，鵜殿治彦¹，今井基晴²，田島裕之³ (茨城大工¹，物材機構²，兵庫県立大³)

13:30 〜 15:30

[19p-P8-10] 硫化銅中の銅イオン溶解析出現象のひずみイメージングによる観察

^○（M1）中野雄宝，田村良太，高田啓二 (関西大)

一般セッション(口頭講演)

[20a-D6-1~11] 14.1 探索的材料物性

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-D6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）AgコートSi基板に成長させたβ-FeSi₂薄膜の微細構造解析

^○本村俊一¹，林剛平¹，板倉賢¹，秋山賢輔² (九大総理工¹，神奈川産技センター²)

09:15 〜 09:30

[20a-D6-2] (110)Si基板上への鉄シリサイド薄膜のエピタキシャル成長

^○秋山賢輔¹，高橋亮¹，松本佳久¹，本村俊一³，林剛平³，舟窪浩²，板倉賢³ (神奈川県産業技術セ¹，東工大総理工²，九州大総理工³)

09:30 〜 09:45

[20a-D6-3] AgコートSi(100)基板上に形成したβ-FeSi₂薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価

^○秋山賢輔¹，末益崇² (神奈川県産業技術セ¹，筑波大²)

09:45 〜 10:00

[20a-D6-4] β-FeSi₂ナノ粒子における近赤外発光ピークの寿命評価

^○寺井慶和¹，前田佳均² (鹿児島大工¹，九工大情報工²)

10:00 〜 10:15

[20a-D6-5] β-FeSi₂ナノ結晶の発光特性：Cu ドープ効果

^○平田智昭，香川成矢，永露友宏，川久保雄基，前田佳均 (九工大院)

10:15 〜 10:30

[20a-D6-6] Fe層とSi層の積層スパッタにより形成された\beta-FeSi₂のキャリア密度に関する研究

^○嘉藤貴史¹，稲村太一¹，佐々木亮人³，青木克明³，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝マテリアル³)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[20a-D6-7] 厚さ1.5 μmを超えるBaSi₂膜のSi(111)基板上へのMBE成長

^○（M1）髙部涼太¹，中村航太郎¹，馬場正和¹，Weijie Du¹，Muhammad Ajmal Khan¹，都甲薫¹，笹瀬雅人²，原康祐³，宇佐美徳隆^3,4，末益崇^1,4 (筑波大¹，若狭湾エネルギー研究センター²，名大³，JST-CREST⁴)

11:00 〜 11:15

[20a-D6-8] BaSi₂エピタキシャル膜におけるV族不純物(Sb,As)の拡散係数評価

^○章寧¹，中村航太郎¹，馬場正和¹，Weijie Du¹，小池信太郎¹，高部涼太¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大¹，CREST-JST²)

11:15 〜 11:30

[20a-D6-9] RFスパッタリングによる加熱ガラス基板上へのBaSi₂膜の形成と評価

^○ヌルルアブドゥルラティフ¹，米山貴裕¹，渋田見哲夫²，松丸慶太郎²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

11:30 〜 11:45

[20a-D6-10] Siクラスレートの高圧合成

^○今井基晴¹，谷口尚¹，山田高広²，山根久典² (物材機構¹，東北大多元研²)

11:45 〜 12:00

[20a-D6-11] 単結晶基板上に局所成長した半導体Ⅳ族クラスレートとその物性評価

^○飯田民夫¹，北川淳嗣¹，髙木昭宏¹，羽渕仁恵¹，岩井義樹²，野口明弘²，杉山智哉²，角谷和保²，大橋史隆²，Fejfar Antonín³，伴　隆幸²，久米徹二²，佐々木重雄²，野々村修一² (岐阜高専¹，岐阜大²，ASCR³)

一般セッション(口頭講演)

[20p-D6-1~8] 14.1 探索的材料物性

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

△ [20p-D6-1] スパッタ法により合成した高結晶性Mg₂Si膜の電気特性

^○小川正太¹，片桐淳生¹，松島正明¹，秋山賢輔^1,2，木村好里¹，内田寛³，舟窪浩¹ (東工大¹，神奈川産技センター²，上智大³)

13:15 〜 13:30

△ [20p-D6-2] 反応性スパッタリングガスの微量添加によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製

^○（M1）原昌太，藤原裕之 (岐阜大)

13:30 〜 13:45

[20p-D6-3] Mg₂Si粉末を用いた多孔質Si粉末の合成

^○山田高広¹，板原浩²，山根久典¹ (東北大多元研¹，豊田中研²)

13:45 〜 14:00

[20p-D6-4] A₂
Mg₁₂
Si₇
及びA₂
Mg₄
Si₃
（A = Ca, Sr, Ba）のエネルギー論的考察

^○今井庸二¹，森嘉久²，中村重之³，財部健一² (産総研¹，岡山理科大²，津山高専³)

14:00 〜 14:15

[20p-D6-5] 新規六方晶窒化炭素の高温高圧合成と構造解析

^○（PC）寒川匡哉¹，財部健一¹，岡田卓² (岡山理大¹，東大物性研²)

14:15 〜 14:30

[20p-D6-6] 窒化炭素ナノ粒子の拡散反射測定

^○亀友健太，財部健一 (岡山理科大)

14:30 〜 14:45

△ [20p-D6-7] SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明: 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見

^○松下雄一郎^1,2，押山淳¹ (東大院工¹，マックス-プランク研究所²)

14:45 〜 15:00

[20p-D6-8] 二酸化ハフニウムを用いた抵抗変化メモリの電気伝導特性に関する第一原理計算

^○宮崎剛英¹，中村恒夫¹，西尾憲吾¹，島久²，秋永広幸²，浅井美博¹ (産総研ナノシステム¹，産総研ナノエレ²)

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[19p-P8-1~10] 14.1 探索的材料物性

[19p-P8-1] イオンビームスパッタ蒸着法によるβ-FeSi2薄膜作製への蒸着速度の影響

[19p-P8-2] Si(111)基板上BaSi₂薄膜の接合・結晶粒の電気特性

[19p-P8-3] Si(001)基板上に形成したトンネル接合上BaSi₂膜のエピタキシャル成長と分光感度特性の評価

[19p-P8-4] AZO透明導電膜とn⁺-BaSi₂膜の接触抵抗評価

[19p-P8-5] 溶融結晶Mg₂SiへのSb-Au共添加効果

[19p-P8-6] Mg₂Si pn接合ダイオードの分光特性改善

[19p-P8-7] HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の化学結合状態評価Ⅱ

[19p-P8-8] Co₂(Mn_1-xFe_x)Si/Ge エピタキシャル薄膜のイオンビーム解析

[19p-P8-9] K₈Ga₈Si₃₈クラスレートの光学特性評価

[19p-P8-10] 硫化銅中の銅イオン溶解析出現象のひずみイメージングによる観察

[20a-D6-1~11] 14.1 探索的材料物性

[20a-D6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）AgコートSi基板に成長させたβ-FeSi₂薄膜の微細構造解析

[20a-D6-2] (110)Si基板上への鉄シリサイド薄膜のエピタキシャル成長

[20a-D6-3] AgコートSi(100)基板上に形成したβ-FeSi₂薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価

[20a-D6-4] β-FeSi₂ナノ粒子における近赤外発光ピークの寿命評価

[20a-D6-5] β-FeSi₂ナノ結晶の発光特性：Cu ドープ効果

[20a-D6-6] Fe層とSi層の積層スパッタにより形成された\beta-FeSi₂のキャリア密度に関する研究

[20a-D6-7] 厚さ1.5 μmを超えるBaSi₂膜のSi(111)基板上へのMBE成長

[20a-D6-8] BaSi₂エピタキシャル膜におけるV族不純物(Sb,As)の拡散係数評価

[20a-D6-9] RFスパッタリングによる加熱ガラス基板上へのBaSi₂膜の形成と評価

[20a-D6-10] Siクラスレートの高圧合成

[20a-D6-11] 単結晶基板上に局所成長した半導体Ⅳ族クラスレートとその物性評価

[20p-D6-1~8] 14.1 探索的材料物性

△ [20p-D6-1] スパッタ法により合成した高結晶性Mg₂Si膜の電気特性

△ [20p-D6-2] 反応性スパッタリングガスの微量添加によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製

[20p-D6-3] Mg₂Si粉末を用いた多孔質Si粉末の合成

[20p-D6-4] A₂
Mg₁₂
Si₇
及びA₂
Mg₄
Si₃
（A = Ca, Sr, Ba）のエネルギー論的考察

[20p-D6-5] 新規六方晶窒化炭素の高温高圧合成と構造解析

[20p-D6-6] 窒化炭素ナノ粒子の拡散反射測定

△ [20p-D6-7] SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明: 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見

[20p-D6-8] 二酸化ハフニウムを用いた抵抗変化メモリの電気伝導特性に関する第一原理計算

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[20a-D6-1~11] 14.1 探索的材料物性

[20p-D6-1~8] 14.1 探索的材料物性

△ [20p-D6-1] スパッタ法により合成した高結晶性Mg2Si膜の電気特性

△ [20p-D6-2] 反応性スパッタリングガスの微量添加によるアモルファスMg2Si系半導体の作製

△ [20p-D6-7] SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明: 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見

△ [20p-D6-1] スパッタ法により合成した高結晶性Mg₂Si膜の電気特性

△ [20p-D6-2] 反応性スパッタリングガスの微量添加によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製