一般セッション(口頭講演)
[16a-A8-1~10] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
2013年9月16日(月) 09:15 〜 12:00 A8 (TC1 2F-232)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:15 〜 09:30
○高橋俊明1，太田貴之1，近藤美沙紀1，品川勉2，Thierry Pauporté3，伊﨑昌伸1 (豊橋技科大1，大阪市工研2，仏国科研センター3)
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09:30 〜 09:45
○岡本哲人1，小牧弘典2，笹野順司1，仁木栄2，伊崎昌信1 (豊橋技科大工1，産総研2)
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09:45 〜 10:00
○為村成亨，菊地健司，宮川和典，久保田節，大竹浩 (NHK技研)
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10:00 〜 10:15
○中村翔，大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊裕之 (豊田工業大)
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10:15 〜 10:30
○前北和晃1，丸山武男1，飯山宏一1，鈴木寿一2 (金沢大1，北陸先端大2)
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休憩 （10:30 〜 10:45）
10:45 〜 11:00
○井上尚子，八木英樹，増山竜二，菊池健彦，大西裕，勝山智和，米田昌博 (住友電工)
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11:00 〜 11:15
○田辺稔，雨宮邦招，沼田孝之，福田大治，座間達也 (産総研 計測標準)
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11:15 〜 11:30
○各務惣太1,2，五十嵐悠一1,2，渡邉克之2，白根昌之1,2，大河内俊介2，萬伸一1,2，荒川泰彦2,3 (ＮＥＣスマエネ研1，東大ナノ量子機構2，東大生研3)
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11:30 〜 11:45
○五十嵐悠一1,2，各務惣太1,2，渡邉克之2，白根昌之1,2，大河内俊介2，萬伸一1,2，荒川泰彦2,3 (ＮＥＣスマエネ研1，東大ナノ量子機構2，東大生研3)
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11:45 〜 12:00
○田中章雅，須村大介，三嶋飛鳥，柳井崇秀 (浜松ホトニクス)
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