一般セッション(ポスター講演)

[19p-P4-1~8] 9.4 熱電変換

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P4 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[19p-P4-1] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(Ⅱ)

^○（M1）奥山剛史¹，小井誠人¹，小川清²，田橋正浩¹，高橋誠¹，後藤英雄¹ (中部大¹，オザワ科学²)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-2] SiAu 薄膜の熱電特性に及ぼす結晶化度の影響

^○渡邊伸，岡本庸一，宮﨑尚，守本純 (防衛大機能材料)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-3] RFスパッタにより形成したMg2Si薄膜の熱電特性Ⅱ

^○林佳範¹，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，倉敷哲生¹ (阪大¹，パナソニック²)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-4] Y-B-Si化合物の合成と熱電的性質

^○森孝雄^1,2,3，David Berthebaud¹，野村明子⁴，西島一志^1,2，牧涼介^1,2，湯葢邦夫⁴，宍戸統悦⁴ (物材機構¹，筑波大²，広島大³，東北大⁴)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-5] π型構造を有するフレキシブル熱電変換素子

^○荒木圭一，樋口章二 (ＫＲＩ)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-6] In酸化物の熱電特性に対する4価元素の置換効果

^○阿部凛太郎，内藤智之，藤代博之 (岩手大)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-7] PEDOT系有機導電性高分子の電子構造計算によるキャリアドーピングに関する検討

^○赤井光治¹，阿武宏明²，外園昌弘²，戸嶋直樹² (山口大¹，山口東京理科大²)

13:30 〜 15:30

[19p-P4-8] PVA還元したTiO_2-xの熱電特性におけるCo添加効果

^○多鹿一樹，小田恭平，森英喜，吉田晴彦，小舟正文 (兵庫県立大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C13 (TC3 2F-214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-C13-1] 焦電効果に対するd電子の役割

^○梶谷剛，相川瑛介，林慶，藤原巧 (東北大工応物)

09:15 〜 09:30

[20a-C13-2] 電気二重層トランジスタを用いたZnOの熱電特性制御

^○藤井武則¹，高柳良平²，朝光敦^1,2 (東大低温セ¹，東大院工²)

09:30 〜 09:45

[20a-C13-3] MOD法によるCa₃Co₄O₉熱電薄膜の作製

^○（M2）吉原秀明，松本要，堀出朋哉 (九工大)

09:45 〜 10:00

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi₂Sr₂Co₂O_x by controlling microstructure through bulk melt process

^○（P）Emmanuel Combe¹，舟橋良次¹，Feridoon Azough²，Robert Freer² (産総研¹，マンチャスター大²)

10:00 〜 10:15

[20a-C13-5] 圧力を媒介としたCuInTe₂バルク熱電材料のナノスケール構造制御

^○小菅厚子，梅景康平，松沢美恵，阪本康弘，山田幾也 (阪府大ナノセ)

10:15 〜 10:30

[20a-C13-6] PTFE微粒子を利用したBi_0.5Sb_1.5Te₃への空孔生成と、その熱電特性

^○草田英夫¹，酒井章裕¹，玉置洋正¹，高橋宏平¹，菅野勉¹，山田由佳¹，阿部浩也² (パナソニック先端技研¹，阪大接合研²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [20a-C13-7] M₃Ni_3-xCo_xSb₄(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

^○玉置洋正，菅野勉，酒井章裕，高橋宏平，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

11:00 〜 11:15

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX₂ (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性

^○矢野力三，笹川崇男 (東工大応セラ研)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C13-9] イットリウムホウ化物の合成と熱電特性

^○丸山恵史^1,2，Anastasiia Prytuliak¹，宮﨑讓²，林慶²，梶谷剛²，森孝雄^1,3 (物材機構¹，東北大院工²，筑波大院数物³)

11:30 〜 11:45

[20a-C13-10] 導電性高分子PEDOT-PSS膜の電気伝導率の膜厚依存性

^○外園昌弘¹，阿武宏明^1,2，戸嶋直樹^1,2 (山口東理大工¹，山口東理大工・先進研²)

11:45 〜 12:00

[20a-C13-11] Si-Ni,Si-Ge-Niナノコンポジット半導体膜の熱電特性

^○内田紀行¹，大石佑治²，黒崎健²，山中伸介²，多田哲也¹ (産総研ナノエレ部門¹，阪大工²)

12:00 〜 12:15

△ [20a-C13-12] Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C13-1~7] 9.4 熱電変換

2013年9月20日(金) 13:15 〜 15:00 C13 (TC3 2F-214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:15 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

△ [20p-C13-1] 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数

^○鈴木悠平^1,2，サレファイズ^1,3,4，下村勝^2,3，石田明広^2,3，池田浩也^1,2,3 (静大電研¹，静大院工²，静大創造大学院³，学振特別研究員 DC⁴)

13:30 〜 13:45

[20p-C13-2] ＲＦスパッタ法を用いたFe₂VAl系熱電材料の薄膜化

^○竹内恒博^1,2,3，古田幸大² (名大エコトピア¹，名大工²，JSTさきがけ³)

13:45 〜 14:00

[20p-C13-3] フォノニックナノ構造を用いた熱伝導制御の検討

^○野村政宏^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

14:00 〜 14:15

▲ [20p-C13-4] 一次元Ｓｉフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導率測定

^○Jeremie Maire^1,2，野村政宏^1,3 (東大生研¹，ＬＩＭＭＳ-CNRS/IIS²，東大ナノ量子機構³)

14:15 〜 14:30

[20p-C13-5] 周期加熱法を用いた酸化物単結晶試料の熱拡散率測定

^○鈴木貴博¹，高橋涼平¹，謝育秦¹，岡崎竜二¹，安井幸夫²，谷口博基¹，寺崎一郎¹ (名大院理¹，明治大理工²)

14:30 〜 14:45

[20p-C13-6] 3ω法を用いたBi-Te系熱電厚膜の熱伝導率測定Ⅱ

^○西野俊佑，小矢野幹夫，大平圭介 (北陸先端大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-C13-7] 熱電能の絶対測定を目指した交流法を用いたトムソン係数評価の検討

^○天谷康孝，藤木弘之 (産総研)

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[19p-P4-1] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(Ⅱ)

[19p-P4-2] SiAu 薄膜の熱電特性に及ぼす結晶化度の影響

[19p-P4-3] RFスパッタにより形成したMg2Si薄膜の熱電特性Ⅱ

[19p-P4-4] Y-B-Si化合物の合成と熱電的性質

[19p-P4-5] π型構造を有するフレキシブル熱電変換素子

[19p-P4-6] In酸化物の熱電特性に対する4価元素の置換効果

[19p-P4-7] PEDOT系有機導電性高分子の電子構造計算によるキャリアドーピングに関する検討

[19p-P4-8] PVA還元したTiO_2-xの熱電特性におけるCo添加効果

[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

[20a-C13-1] 焦電効果に対するd電子の役割

[20a-C13-2] 電気二重層トランジスタを用いたZnOの熱電特性制御

[20a-C13-3] MOD法によるCa₃Co₄O₉熱電薄膜の作製

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi₂Sr₂Co₂O_x by controlling microstructure through bulk melt process

[20a-C13-5] 圧力を媒介としたCuInTe₂バルク熱電材料のナノスケール構造制御

[20a-C13-6] PTFE微粒子を利用したBi_0.5Sb_1.5Te₃への空孔生成と、その熱電特性

△ [20a-C13-7] M₃Ni_3-xCo_xSb₄(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX₂ (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性

△ [20a-C13-9] イットリウムホウ化物の合成と熱電特性

[20a-C13-10] 導電性高分子PEDOT-PSS膜の電気伝導率の膜厚依存性

[20a-C13-11] Si-Ni,Si-Ge-Niナノコンポジット半導体膜の熱電特性

△ [20a-C13-12] Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

[20p-C13-1~7] 9.4 熱電変換

△ [20p-C13-1] 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数

[20p-C13-2] ＲＦスパッタ法を用いたFe₂VAl系熱電材料の薄膜化

[20p-C13-3] フォノニックナノ構造を用いた熱伝導制御の検討

▲ [20p-C13-4] 一次元Ｓｉフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導率測定

[20p-C13-5] 周期加熱法を用いた酸化物単結晶試料の熱拡散率測定

[20p-C13-6] 3ω法を用いたBi-Te系熱電厚膜の熱伝導率測定Ⅱ

△ [20p-C13-7] 熱電能の絶対測定を目指した交流法を用いたトムソン係数評価の検討

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[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi2Sr2Co2Ox by controlling microstructure through bulk melt process

△ [20a-C13-7] M3Ni3-xCoxSb4(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX2 (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性

△ [20a-C13-9] イットリウムホウ化物の合成と熱電特性

△ [20a-C13-12] Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

[20p-C13-1~7] 9.4 熱電変換

△ [20p-C13-1] 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数

▲ [20p-C13-4] 一次元Ｓｉフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導率測定

△ [20p-C13-7] 熱電能の絶対測定を目指した交流法を用いたトムソン係数評価の検討

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi₂Sr₂Co₂O_x by controlling microstructure through bulk melt process

△ [20a-C13-7] M₃Ni_3-xCo_xSb₄(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX₂ (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性