2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月16日(月) 09:00 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

11:45 〜 12:00

[16a-B5-11] InNをチャネル層とした電界効果トランジスタの作製

大関正彬1,大久保佳奈1,小林篤1,太田実雄1,藤岡洋1,2 (東大生研1,JST-CREST2)

キーワード:窒化インジウム