[16p-B1-1~11] 17.4 デバイス応用

[16p-B1-2] Few-layer MoS2 FETのH2アニールによる特性変化

^○村瀬将哉，松井優輔，田畑博史，久保理，片山光浩 (阪大院工)

キーワード：MoS2