[16p-B2-1~14] 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

[16p-B2-2] 成長界面上の空孔の発生と結晶内部の格子間シリコンの発生 [2] 成長速度の漸減による

^○阿部孝夫¹，高橋徹¹，白井光雲² (信越半導体¹，阪大産研²)

キーワード：点欠陥