[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-B4-1] PLD法による(\overline{2}01)面β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長の温度依存性

^○向井章¹，大島孝仁¹，佐々木公平²，増井建和³，倉又朗人²，山腰茂伸²，大友明^1,4 (東工大院理工¹，タムラ製作所²，光波³，元素戦略⁴)

キーワード：酸化ガリウム,PLD