[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-B4-2] 高温下におけるβ-Ga₂O₃(010)基板表面安定性の検討

^○蕗澤孝紘¹，江口千尋¹，花形祥子¹，野村一城¹，後藤健²，富樫理恵¹，村上尚¹，倉又朗人²，熊谷義直¹，纐纈明伯¹ (東京農工大院工¹，タムラ製作所²)

キーワード：Ga2O3,酸化ガリウム