[16p-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-D3-10] Cu/MoOx抵抗変化型メモリにおけるフィラメント観察とその分析

^○工藤昌輝，大野裕輝，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

キーワード：ReRAM,TEMその場観察,モリブデン酸化物