[16p-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-D3-8] 室温での反応性スパッタにより作製したWO_x薄膜の抵抗スイッチ特性

^○中根明俊，高見澤圭祐，廣井孝弘，有田正志，高橋庸夫，山田徹 (北大院情報)

キーワード：抵抗変化型メモリ