[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [17a-B3-11] X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO₂/4H-SiC界面における窒素分布の評価

^○（M2）岡田葉月¹，高嶋明人²，室隆桂之²，野平博司¹ (東京都市大¹，高輝度研²)

キーワード：SiC,X線光電子分光　,窒化処理