10:45 〜 11:00
▲ [17a-B5-6] Evaluation of Interface State Density of Strained-Si MOS Interfaces by Conductance Method
キーワード：conductance method
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術
[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術
2013年9月17日(火) 09:15 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)