2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術

[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 09:15 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

11:30 〜 11:45

[17a-B5-9] InAs層の導入によるAl2O3/GaSb MOS界面特性の改善

○（PC）横山正史1，横山春喜2，竹中充1，高木信一1 (東大院工1，NTTフォトニクス研2)

キーワード：GaSb,MOS界面,Al2O3