[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17p-B4-13] アモルファスInGaZnO TFTにおける低温水素アニールの影響

^○上岡義弘，石河泰明，Bermundo Juan Paolo，山﨑はるか，浦川哲，長田至弘，堀田昌宏，浦岡行治 (奈良先端大)

キーワード：IGZO,TFT,水素