[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

▲ [17p-B4-4] O2/Ni ratio dependence of structure and surface morphology in atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films

^○（M2）Teuku Muhammad Roffi，内田和男，野崎眞次 (電通大S専攻)

キーワード：NiO,MOCVD