15:30 〜 15:45
▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region
キーワード:Ge,High-k
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術
2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)
15:30 〜 15:45
キーワード:Ge,High-k