[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-B5-14] 窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfN_x/Ge-MIS構造の研究

^○（M2）三浦脩¹，田中正俊¹，安田哲二²，前田辰郎² (横国大¹，産総研²)

キーワード：Ge,HfN,MIS