2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)

17:00 〜 17:15

[17p-B5-16] GeO2/Ge構造におけるPost Metallization Annealingの改善効果

山口まりな,中谷友哉,岩崎好孝,上野智雄 (東京農工大・工)

キーワード:GeO2,Post Metallization Annealing,吸湿性