17:00 〜 17:15
[17p-B5-16] GeO2/Ge構造におけるPost Metallization Annealingの改善効果
キーワード:GeO2,Post Metallization Annealing,吸湿性
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術
2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)
17:00 〜 17:15
キーワード:GeO2,Post Metallization Annealing,吸湿性