[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

▼ [17p-B5-19] Y ドープGeO₂ 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成

^○Lu Cimang^1,2，李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

キーワード：Ge,High-k