[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P7-15] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討

^○徳田英俊，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

キーワード：量子ドット,InN,MBE