[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P7-5] ハイドライド気相成長法による自立{20-21}GaN基板の作製とLED応用

^○（PC）山根啓輔，橋本健宏，稲垣卓志，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

キーワード：GaN基板,ハイドライド気相成長法,非極性面