[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P7-8] GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響

^○（M1）藤岡秀平¹，網谷良介¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

キーワード：表面改質,ショットキー接合,発光ダイオード