09:30 〜 09:45
▼ [18a-B3-3] SiC溶液成長過程における基底面転位の形成
キーワード:basal plane dislocation,SiC,solution growth
一般セッション(口頭講演)
15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物
2013年9月18日(水) 09:00 〜 11:30 B3 (TC2 1F-105)
09:30 〜 09:45
キーワード:basal plane dislocation,SiC,solution growth