[18a-C2-1~8] 8.4 Plasma etching

[18a-C2-3] Total simulation of neutral beam etching processes

Naoki Watanabe¹, Shingo Ohtsuka¹, Takuya Iwasaki¹, Kohei Ono¹, Yasuroh Iriye¹, Shunsuke Mochizuki², ^○Tomohiro Kubota³, Seiji Samukawa^3,4 (Mizuho I&R Inst.¹, Numerical Systems², IFS, Tohoku Univ.³, WPI-AIMR, Tohoku Univ.⁴)

Keywords:中性粒子ビームエッチング,時間依存密度汎関数理論,モンテカルロ法