[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-D3-10] ナノスケールプレーナー型抵抗変化メモリを用いた雰囲気がフィラメント物性に及ぼす直接的影響の解明

^○澤居優圭¹，高相圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,AFM電界酸化,プレーナー型