[18p-B4-1~12] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[18p-B4-7] 高Sn組成Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の光学特性

^○保崎航也¹，小山剛史¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，岸田英夫¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員(PD)²)

キーワード：半導体,GeSn,光学特性