[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

[18p-C1-5] Si(100)表面平坦化によるMOSダイオードの電気特性に関する検討

^○工藤聡也，韓大熙，大見俊一郎 (東工大総理工)

キーワード：Si表面ラフネス