2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)

14:15 〜 14:30

[18p-C1-6] Investigation of Si(110) surface roughness on MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering

Dae-Hee Han,Shun-ichiro Ohmi (東工大)

キーワード:surface roughness