14:15 〜 14:30
▲ [18p-C1-6] Investigation of Si(110) surface roughness on MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering
キーワード:surface roughness
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面
2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)
14:15 〜 14:30
キーワード:surface roughness