[18p-D1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-D1-4] Al₂O₃パッシベーションを施した水素終端ダイヤモンドMOSFETの高温動作特性

^○許トクシン，坪井秀俊，成尾智也，山田哲也，大長央，斉藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

キーワード：MOSFET,Al2O3,ダイヤモンド