[18p-D1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-D1-5] Al₂O₃ゲート絶縁膜を利用した水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐電圧特性

^○山田哲也，成尾智也，坪井秀俊，許德琛，大長央，斎藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

キーワード：ダイヤモンド,MOSFET,耐圧