[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-10] Isochronal annealing法によるMOSFET絶縁膜トラップの評価

^○山川市朗，與名本欣樹 (日立横浜研)

キーワード：MOSFET,絶縁膜,トラップ