[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [18p-P10-2] 酸化濃縮基板へのSb ドーピングにより作製した極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFETs

^○（M2）金佑彊¹，忻宇飛¹，金栄現¹，金相賢¹，長田剛規²，秦雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，住友化学²)

キーワード：Ge-on-insulator nMOSFET,アンチモンの固層拡散