[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-9] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用(Ⅱ)

^○内藤慎二¹，名切秀一²，伊藤佳奈²，白岩央亘²，小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

キーワード：不揮発性メモリ,SiCN