[19a-A12-1~8] 7.6 イオンビーム一般

[19a-A12-3] Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響

^○アザマト オシュラフノフ¹，松井祐斗¹，柳沢淳一¹，佐藤一成²，山本喜之² (滋賀県立大工¹，住友電工²)

キーワード：GaN,窒化ガリウム,窒化シリコン